产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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052N03LS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VSP010N08MS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,60A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXTP2N80-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,850V,4A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FK10KM-12-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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HS50N06DA-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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7N20-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=245(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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30P10GI-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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P-Ch,-100V,-50A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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AUFZ24NS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TSM4N80CZ C0-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,850V,4A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SiHFPC60LC-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PJQ2410_R1_00001-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,30V,10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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AON7700-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,35A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI1551DL-T1-GE3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-6
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N+P-Ch,±20V,3.28/-2.8A,RDS(on)=90/155(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
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IPB081N06L3 G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SL169P06LK-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-60V,-5.2A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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