产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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HAT2070RJ-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AOU4N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,600V,4A,RDS(on)=1440(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PSMN1R5-40YSD/2X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXTP20N65X2M-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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MMDF3N03HDR2G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,6.8/6.0A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CMH20N50-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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SGH10N60RUFDTU-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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IGBT+FRD,600/650V,15A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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2SK3113B-S15-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK4070-ZK-E2-AY-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFR2703TRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP9475AGM-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,60V,7.6A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK7523-75A-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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6680AGM-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IXTP230N075T2-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,195A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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CMT04N60N220-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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