产品列表
共计 52894 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RJL5032DPP-M0-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
FCPF1300N80ZYD-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,800V,6A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
PMPB12UN-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
QFN8(3X3)
|
|
||
|
2SK1474-TL-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
NP80N03DDE-S12-AY-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO262
|
N-Ch,30V,90A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
ISC024N08NM7-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
BF912N60 TK12A60-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
|
||
|
HAT2019R-EL-E-VB
|
低压MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N-Ch,30V,6.8A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
AP02N70EJ-HF-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO251
|
N-Ch,700V,2A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
CMT20N50-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO3P
|
N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
MCH3416-TL-E-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SC70-3
|
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
30NM50N-VB TO220F
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,500V,30A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
2SK3114-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
DI110N15PQ-AQ-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,150V,70A,RDS(on)=13.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
K3773-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,500V,30A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|