产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FTS1001-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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P+P-Ch,-30V,-5.2A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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PSMN015-100P,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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RS1E300GN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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QFN8(5X6)
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FQB11N40-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PJQ2460_R1_00001-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
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BUK7Y1R7-40HX-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BUK7Y1R7-40HX;BUK7Y1R7-40HX
BUK7Y1R7-40HX;BUK7Y1R7-40HX
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NX6020NBKS115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-6
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PHD18NQ10T-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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CMD1N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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L8113L-VB
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,30V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TK31J60W,S1VQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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K3644-01-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMP10H088SPS-13-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-100V,-20A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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IRLZ14S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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E3P303-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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