产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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2SK2247-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT89
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N-Ch,30V,6.8A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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80CN10N-VB TO262
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IRFH5301TR2PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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W223-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK2098-01MR-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,200V,20A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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ZVN4210GTC-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,100V,5A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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MI8405-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-15A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±8V,Vth=-0.6V
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NVD5807NT4G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NVTFS4C08NWFTAG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,60A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.46V
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ME8117A-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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VS40200ATD-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DTL2N65SJ-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=2300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NDS9957-NL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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7N60LL-TF3-T-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTD4806N-1G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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