产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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MSJP20N65A-BP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PSMN1R2-30YLC-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,30V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
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PSMN1R2-30YLC
PSMN1R2-30YLC
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FDV303N-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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FDV303N-NL(ONSEMI/安森美)
FDV303N-NL(ONSEMI/安森美)
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CRST030N10NZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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J603-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-60V,-45A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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RJK1526DPJ-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,150V,50A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK2340-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,950V,6A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK1896-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=27(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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086N10N-VB TO262
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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2SK3067-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=1700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPB80P04P4-07-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-40V,-110A,RDS(on)=4.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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SSPS924NE-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)-B
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N+N-Ch,20V,9.4A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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STD1NB60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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KF9N25F-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,250V,16A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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NVB190N65S3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO263
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