产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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P9006ETF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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FS100UMJ-03F-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FB4233-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,200V,50A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STU602S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP40T03GS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HY1707M-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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VS4559MS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±60V,5.3/-4.9A,RDS(on)=26/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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KIA60R380-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,600V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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21N50C3-VB TO247
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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FS10VS-5-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,250V,16A,RDS(on)=230(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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RJK1557DPA-00#J0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,150V,20A,RDS(on)=56(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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MTP3N55-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,850V,4A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NVMFS5C450NWFAFT3G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NTB75N03RT4-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AUIRFR3710ZTRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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