产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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2SK1474-TL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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NP80N03DDE-S12-AY-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,30V,90A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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ISC024N08NM7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BF912N60 TK12A60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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HAT2019R-EL-E-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,6.8A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP02N70EJ-HF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,700V,2A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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CMT20N50-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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MCH3416-TL-E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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30NM50N-VB TO220F
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,30A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK3114-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DI110N15PQ-AQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,150V,70A,RDS(on)=13.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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K3773-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,30A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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HAT2070RJ-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AOU4N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,600V,4A,RDS(on)=1440(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PSMN1R5-40YSD/2X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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