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产品列表

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FDB8832_F085-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,30V,150A,RDS(on)=2.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
DMN3011LFDF-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,30V,10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
PMF63UN,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
BUK7880-55A/CUX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
N-Ch,60V,4.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BUK7880-55A/CUX;BUK7880-55A/CUX
BUK7880-55A/CUX;BUK7880-55A/CUX
SPC4539S8RGB-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
ME2N7002E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
ME2N7002E;ME2N7002E
ME2N7002E;ME2N7002E
TK9A60D-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TT8J2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X2)-B
P+P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=83(mΩ)@VGS=10V,VGS=±8V,Vth=-0.8V
TT8J2;TT8J2
TT8J2;TT8J2
XSM6K519NW,LXHF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,40V,12A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.43V
BSZ050N03MSGATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,60A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.46V
NTTFS3A08PZ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
NTF3055-100T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
N-Ch,60V,4.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IMW120R040M1H-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,1200V,65A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +22V,Vth=2~4V
PSMN4R0-60YS,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,60V,100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.4V
TPH3R70APL1,LQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.45(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V