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产品列表

共计 22704 条库存
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TPH6R003NL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
IPA60R120P7-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,600V,26A,RDS(on)=115(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPA60R120P7;IPA60R120P7
IPA60R120P7;IPA60R120P7
STD11N65M5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,11A,RDS(on)=370(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STD11N65M5;STD11N65M5
STD11N65M5;STD11N65M5
SM4603CSKC-TRG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,10/-8A,RDS(on)=11/21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
UPA2700GR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
UPA2700GR
UPA2700GR
AP4575GM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±60V,5.3/-4.9A,RDS(on)=26/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
AP25N10GH-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,40A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
SI2305ADS-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
SI2305ADS-T1-GE3(INFINEON/英飞凌)
SI2305ADS-T1-GE3(INFINEON/英飞凌)
STW11NM80-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,800V,15A,RDS(on)=370(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STW11NM80
STW11NM80
DMT6015LFV-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN(3X3)-8L
BSS806N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
BSS806N;BSS806N
BSS806N;BSS806N
BUK655R0-75C,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,80V,160A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
UTT50N06L-TA3-T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CHT2303PT-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
MCPF650N80SHK-BP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,800V,6A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V