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产品列表

共计 22704 条库存
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HY1904C2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
HY1904C2;HY1904C2
HY1904C2;HY1904C2
TP65H300G4LSGBE-VB
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8X8
Single-N,650V,10A,RDS(on)=190@VGS=6V,VGS=-1.4~7V,Vth=1.5V
2SK2882-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,200V,20A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SISS52DN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPW60R080P7XKSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,36A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SI7459DP-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
SI7114ADN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SI7114ADN-T1-GE3
SI7114ADN-T1-GE3
SIR610DP-T1-RE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,200V,30A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
AOD442G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
TK7P60W5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SISH407DN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
SI7464DP-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,200V,30A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
RT4953-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
BSD235CH6327-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
N+P-Ch,±20V,3.28/-2.8A,RDS(on)=90/155(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
IRF640NL-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO262
N-Ch,200V,45A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IRF640NL
IRF640NL