产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FDMS004N08C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,140A,RDS(on)=2.65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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BSC010NE2LSATMA1-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,170A,RDS(on)=0.97(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STL9P3LLH6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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STL9P3LLH6;STL9P3LLH6
STL9P3LLH6;STL9P3LLH6
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IPW65R310CFD-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,700V,20A,RDS(on)=210(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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MCQ095P10-TP-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-100V,-4.5A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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TPH9R00CQH,LQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,150V,70A,RDS(on)=13.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRFD9210PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DIP8
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P+P-Ch,-200V,-1.5A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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IPD50N03S2-07-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TK12J55D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDP030N06-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK3402-Z-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STL30N10F7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,30A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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WFF7N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDS6694-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDS6694;FDS6694
FDS6694;FDS6694
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7N75G-TA3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,700V,5A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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