产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMTH4M90SPSW-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
SQ2301ES-T1-GE3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
|
|
|
|
2SK3700-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO3P
|
N-Ch,900V,9A,RDS(on)=750(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
NTP60N06-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
PXP3R7-12QUJ-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
|
|
|
|
HAF1010RJ-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P-Ch,-60V,-8A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
SI7866ADP-T1-GE3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
AOD2606-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
SI4835BDY-T1-E3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P-Ch,-30V,-9A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
FDD86580-F085-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_BE3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
LFPAK56
|
N-Ch,60V,64A,RDS(on)=6.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~3V
|
|
|
|
TSF7N80M-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,800V,5A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
IRLR3714ZTRPBF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
STF15N80K5-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,800V,20A,RDS(on)=205(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
STF15N80K5;STF15N80K5
STF15N80K5;STF15N80K5
|
|
|
2SK3814(0)-Z-E2-AZ-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|