产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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2SK1469-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STP9N60M2-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IXFH70N15-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,150V,150A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NCE3N150D-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,1500V,3A,RDS(on)=6500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPW90R1K0C3FKSA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,900V,11A,RDS(on)=580(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK7Y53-100B-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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AFGHL50T65SQDC-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,600/650V,60A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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SI2309DS-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-60V,-5.2A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SI2309DS-T1-E3
SI2309DS-T1-E3
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FQA10N80C_F109-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,900V,9A,RDS(on)=750(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PSMN3R3-80PS,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,195A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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RUE003N02-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-3
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N-Ch,20V,0.85A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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SIRA52ADP-T1-RE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK3902(0)-ZK-E1-AY-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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DMP3007SFG-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-30V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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AM4492N-T1-PF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,100V,9A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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