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产品列表

共计 22704 条库存
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IKQ50N120CH7-VB
IGBT管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
IGBT+FRD,1200V,50A,VCEsat=1.55V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5.5V
AON6548-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FDPF12N50NZ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,550V,18A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
FDPF12N50NZ
FDPF12N50NZ
SM2335PSA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
CSD16570Q5BT-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,280A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
SSM6K388R,LF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
SI9926CDY-T1-GE3-VB
双N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,20V,7.1A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SI9926CDY-T1-GE3
SI9926CDY-T1-GE3
STD14NM50N-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,500V,14A,RDS(on)=290(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STD14NM50N;STD14NM50N
STD14NM50N;STD14NM50N
TPCA8109(TE12L1,V-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-35A,RDS(on)=8.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
AG087FGD3HRBTL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDMC007N08LCDC-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=6.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
RS1P600BHTB1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,75A,RDS(on)=7.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IPD230N06NGBTMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
PSMN9R0-30YL,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,30V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
BSS159NH6327XTSA2-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V