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产品列表

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CPH3355-TL-H-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
CSD16414Q5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CSD16414Q5;CSD16414Q5
CSD16414Q5;CSD16414Q5
IPB160N04S2-03-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263-7L
N-Ch,40V,200A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STP80PF55-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
P-Ch,-60V,-90A,RDS(on)=8.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
STP80PF55;STP80PF55
STP80PF55;STP80PF55
AM2337P-T1-PF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
NDC652P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
SSM3K389R,LF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STB300NH02L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,30V,150A,RDS(on)=2.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRF1010ZSPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
20N60S5-VB TO263
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FDA59N25-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,250V,60A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
FDA59N25;FDA59N25
FDA59N25;FDA59N25
EMB12N04V-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,28A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
STF40NF06-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=27(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NCEP037NH100D-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IRL620-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,200V,10A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V