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产品列表

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SM4024NSU-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
BUK6607-75C,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IXTP120P065T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
P-Ch,-60V,-90A,RDS(on)=8.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
IRFHM8363TRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)-B
N+N-Ch,30V,26A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRFHM8363TRPBF
IRFHM8363TRPBF
BSS816NWH6327XTSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
BSS816NWH6327XTSA1
BSS816NWH6327XTSA1
AP09N70I-A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FCH070N60E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,600V,47A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FCH070N60E;FCH070N60E
FCH070N60E;FCH070N60E
HY1606D-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
HY1606D
HY1606D
AOD9N50-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
AOD9N50
AOD9N50
SI9804DY-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FMW79N60S1HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,64A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FMW79N60S1HF
FMW79N60S1HF
NVMFS6H858NLT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
RD3G08DBLHRBTL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,120A,RDS(on)=1.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PSMN1R0-40YLD-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PSMN1R0-40YLD;PSMN1R0-40YLD
PSMN1R0-40YLD;PSMN1R0-40YLD
F7313-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,30V,6.8/6.0A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V