2SK2109-VB一款N-Channel沟道SOT89封装的场效应MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-07-31 15:27
摘要：### 产品简介
### 产品简介
**2SK2109-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT89封装，适用于中功率应用。具有较高的漏极-源极电压、低导通电阻和适中的漏极电流能力，适合要求中等功率和小尺寸的电路设计。
### 详细参数说明
- **封装类型**：SOT89
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 88mΩ @ VGS=4.5V
- 76mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：5.5A
- **技术**：沟槽型
### 应用领域和模块
**2SK2109-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用：
1. **电源管理模块**：
- 适用于中功率开关电源（SMPS）中的功率开关和电流控制，提供高效率和稳定性。
- 在电池管理系统（BMS）中，用于电池充放电控制，确保安全和高效率。
2. **消费类电子产品**：
- 在LED照明驱动器中，用于控制LED灯的电流和亮度，提供稳定的照明效果。
- 用于电动工具、家电等产品的电源管理和功率控制。
3. **医疗电子**：
- 在医疗设备中的电源管理模块和信号处理模块中使用，如医疗图像设备、心跳监测器等。
4. **工业控制**：
- 适用于工业自动化设备中的控制模块，如电机驱动器、传感器信号处理等。
5. **通信设备**：
- 在通信基站设备中的功率放大器和功率控制模块中使用，确保设备的高效率和稳定性。
### 小结
**2SK2109-VB** 是一款适用于中功率应用的单N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压、低导通电阻和适中的漏极电流能力。广泛应用于电源管理、消费类电子产品、医疗电子、工业控制和通信设备等领域，为电路设计提供高效率和稳定性的解决方案。
