产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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STP30N65M5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,25A,RDS(on)=115(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STF30N65M5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,25A,RDS(on)=115(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3~5V
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QM0008J-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT89
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N-Ch,100V,4.2A,RDS(on)=102(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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HP8KE7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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SM4514NHKP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK2484-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RU1Z120R-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,150V,100A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRL8113STRLPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SIHFL9110T-E3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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P-Ch,-100V,-3A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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IRLM210A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,200V,1A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DTM4616-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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AP4228M-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,6.8/6.0A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STS2309A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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CPH3455-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NVMFWS2D3P04M8LT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-40V,-150A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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