产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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BUK542-60B-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,20A,RDS(on)=72(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SW4N70D1-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SOT2304SRG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTTFS4965NFTAG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRFR2407TRRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,45A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMTH6005LPSQ-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXFH50N60X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,600V,47A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SQM120N06-06-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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HM12N60F-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DMS3014SFG-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,30A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDMS8460-NC-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,120A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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CPH6320-TL-E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IXTP120N04T2-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,40V,110A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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H5N2515P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,250V,60A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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32N03S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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QFN8(5X6)
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