产品列表
共计 52893 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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BUK553-50B-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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J625-T1B-A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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NDF08N60Z-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AUIRLR024Z-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RFG60P05E-VB
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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P-Ch,-60V,-58A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SM2221CSQG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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N+P-Ch,±30V,±7A,RDS(on)=18/32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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6R520E6-VB TO220
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RH6E040BGTB1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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K291TL-E-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TPC6007-H-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AON6586-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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QFN8(5X6)
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||
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IRFH7107TR2PBF-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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SMG2319P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-40V,-40A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SQS405EN-T1_GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-15A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±8V,Vth=-0.6V
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