产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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BUK762R6-60E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SM1A11NSV-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,100V,6.4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IPW65R150CFDFKSA1-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STF28NM60ND-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=150(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AUFZ44N-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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UPA2800T1L-E1-AY-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,35A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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19NM50N-VB TO247
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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9578M-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-60V,-8A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRFU3410P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,100V,35A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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SM1A63NHK-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,100V,15.5A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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2SK3534-01MR-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NVMFWS003P03P8ZT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.68
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FP3206-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,80V,215A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.14V
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LNC10R180-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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DMTH8003SPSW-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN5X6
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