产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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4501GH-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252-4L
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N+P-Ch,±40V,±50A,RDS(on)=16/16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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SSH10N60A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPF05N03LAG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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F7807V-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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F9521-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-60V,-40A,RDS(on)=62(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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PSMN5R0-100PS,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AON7430L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,30A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP01L60AT-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO92
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N-Ch,650V,1A,RDS(on)=6667(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
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NSF060120L3A0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,1200V,30A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +22V,Vth=2~4V
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STM8306-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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FDPF12N50NZT-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,550V,18A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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DTN14N50SJ-VB
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,14A,RDS(on)=240(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NCEP0155AG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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MSH60N23DAU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FTS1001-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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P+P-Ch,-30V,-5.2A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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