产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IRLR3715TRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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IRF7491TRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,100V,10.4A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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2SK3643-ZK-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STH110N10F7-2-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,140A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BUK437-450B-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NVMFS6B75NLT3G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,30A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FDD6296_NL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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5N30V-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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N+N-Ch,30V,8.6A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDD6690S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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XD3400-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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DI100N04PQ-AQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TSM3462CX6 RF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FW138-TL-E-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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FHS9301-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SIHFIB5N65A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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