产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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MTB7D8N03ARV8-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,35A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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F3703-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,260A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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9950GP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NCE65R180-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SVS4N65F-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STW120NF10-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,100V,150A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STW120NF10;STW120NF10
STW120NF10;STW120NF10
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IXFA18N65X2-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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K42E12N1-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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BUK455-60B-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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126N10N-VB TO262
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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RU190N10Q-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,100V,150A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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K4212-ZK-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STU95N3LLH6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SQD40N06-25L-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TF2916L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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