产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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158205A-VB SOT23-6
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N+N-Ch,20V,6A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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K3817-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TPN1200APL,L1Q-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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2SK1468-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTMFD5C672NLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,40A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP30T03GH-HF-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CPH3424-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TSP3N80M-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,850V,4A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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K1086-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=27(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TSP730M-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,500V,13A,RDS(on)=660(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.1V
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F654A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,250V,14A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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NVB150N65S3F-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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DMN4040SK3-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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4N0403-VB TO263
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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MTB7D0N06RJ3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO252
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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