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产品列表

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NCE8205A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TSSOP8
N+N-Ch,20V,6.6A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
NCE8205A
NCE8205A
AOK50B60D1-VB
IGBT管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
IGBT+FRD,600/650V,60A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
DMN2009LSS-13-VB
1
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,20V,15A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
DMN2009LSS-13
DMN2009LSS-13
SQS141ELNW-T1_GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-40V,-45A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
PHB18NQ10T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,20A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
K1455-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SiRA14BDP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
IMZ120R090M1H-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247-4L
N-Ch,1200V,30A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=18V,VGS=-4 / +22V,Vth=2~4V
IMZ120R090M1H;IMZ120R090M1H
IMZ120R090M1H;IMZ120R090M1H
KIA28N50H-VB
中高压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,500V,30A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FTW20N50A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
BSC019N04LSATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
TK58E06N1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
TK58E06N1;TK58E06N1
TK58E06N1;TK58E06N1
CRST037N10N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
AUIRFR4105ZTRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
2SJ660-DL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V