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产品列表

共计 22704 条库存
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IXTH60N20L2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,200V,96A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4V
DMP1022UFDF-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
IRFR9214TRL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-200V,-3.6A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
AO3414A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
STP200N6F3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BSC16DN25NS3GATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
BUK7610-100B-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
BUK7610-100B;BUK7610-100B
BUK7610-100B;BUK7610-100B
BSS138AK-QR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BSS138AK-QR
BSS138AK-QR
IRFB7730-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,80V,180A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
FMV09N90E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FMV09N90E;FMV09N90E
FMV09N90E;FMV09N90E
DMTH6016LFDFWQ-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
RS7N160BHTB1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NTD4806NT4G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BUK455-500B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,600V,8A,RDS(on)=780(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
Si1016X-T1-GE3-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC75-6
N+N-Ch,20V,0.6A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
Si1016X-T1-GE3;Si1016X-T1-GE3
Si1016X-T1-GE3;Si1016X-T1-GE3