产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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VBQA1156N
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,150V,25A,RDS(on)=68(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4V
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SQJA16EP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
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STU7NM60N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=950(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FQD7N65C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI4447DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-40V,-16.1A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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10N60-VB TO220
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTB5405NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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BSZ110N08NS5ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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APM4303KC-TRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-13.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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AP4435M-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-9A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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XR2310-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SQD40N06-14L-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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HAT2169H-EL-E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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HAT2169H-EL-E;HAT2169H-EL-E
HAT2169H-EL-E;HAT2169H-EL-E
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SP3011CP8-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,10/-8A,RDS(on)=11/21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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FQD2N80-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,800V,2A,RDS(on)=2600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FQD2N80
FQD2N80
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