产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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LP2985IM5-5.0/NOPB-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23
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LP2985IM5-5.0/NOPB
LP2985IM5-5.0/NOPB
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BUZ271-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-60V,-40A,RDS(on)=62(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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BSR316PH6327XTSA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-100V,-1.5A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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HAT1038R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-60V,-5.3A,RDS(on)=54(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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FX30KMJ-06#B00-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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P-Ch,-150V,-15A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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UPA2762UGR-E1-AT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AO6422-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSZ086P03NS3EGATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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MCAC8D5N10Y-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,75A,RDS(on)=7.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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DMTH6016LPS-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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K2700-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,950V,6A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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JCS5N60FB-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTTFS030N06CTAG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,30A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STD5406NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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RBA80N04DANS-4UB03#HB0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.09(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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