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产品列表

共计 22704 条库存
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型号 分类 品牌 批号 封装 参数规格 替代参考 询价
TK4A80E,S4X-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,850V,4A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
VS4610AE-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,40A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
BSS84-13-F-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-60V,-0.5A,RDS(on)=3000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
TK12A60W-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TK12A60W
TK12A60W
FDD5353-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IPD050N10N5-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,85A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPD050N10N5;IPD050N10N5
IPD050N10N5;IPD050N10N5
RF7G120BKFRATCR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,40V,12A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.43V
2SJ277-DL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-100V,-37A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
IRFR024NTR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRFR024NTR
IRFR024NTR
RTR020N05TL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
RTR020N05TL;RTR020N05TL
RTR020N05TL;RTR020N05TL
TK39N60W5,S1VF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,36A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
NVTFS5C454NLWFTAG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
2SK3755-AZ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,40V,110A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
2SK2159-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT89
N-Ch,60V,5.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IXTY48P05T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-60V,-50A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V