产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SISS61DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
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KIA3510A-VB TO220
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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SIS106DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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RBE019N10R1SZPW#KB0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLL
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N-Ch,100V,350A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AP9870GH-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STD13NM60ND-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,600V,12A,RDS(on)=340(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRLB3036-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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CEB50P03-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-30V,-75A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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IPLK80R600P7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN5x6
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ZVBAH1303T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SPN11T10T252RGB-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMP2160UFDB-7R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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P+P-Ch,-20V,-5.3A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.8V
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K6A65D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK9245-55A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STGWA80H65DFBAG-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,600/650V,80A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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