产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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MCAC50N10Y-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,75A,RDS(on)=7.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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VS320N10AU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,100V,185A,RDS(on)=3.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SQ3985EV-T1_BE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P+P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
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SISS28DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.6V
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PSMN016-100YS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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STD22NM20N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,200V,30A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FCPF190N65S3R0L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,18A,RDS(on)=230(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NCEP026N10F-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,165A,RDS(on)=3.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SI3586DV-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N+P-Ch,±20V,5.5/-3.4A,RDS(on)=22/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
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IRLML5203GTRPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRFB33N15DPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,150V,50A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STL36N60M6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8X8
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPB110P06LMATMA1-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-60V,-70A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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IPB110P06LMATMA1
IPB110P06LMATMA1
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STW7NK90Z-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRF710PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRF710PBF
IRF710PBF
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