产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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NCEAP023NH80GU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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ZXM62P03E6TA-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IPT008N06NM5LFATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLL
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N-Ch,60V,480A,RDS(on)=0.48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FCH47N60N-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFS3806PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSC670N25NSFD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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PMV20XN,215-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SJ687-ZK-E2-AY-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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TK12Q60W-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,600V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRLIZ14G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=27(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TK31E60X,S1X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,32A,RDS(on)=85(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SIS698DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,100V,4A,RDS(on)=130(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMT6004LPS-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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T20P06LG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SI01P10-TP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-100V,-1.5A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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