产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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RD3L08BBKHRBTL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXTP32N20T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,200V,35A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SUD35N10-26P-T4-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,45A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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RFP30N06LE-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RFP30N06LE
RFP30N06LE
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IRFD210PBF-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DIP8
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N-Ch,200V,0.6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
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IRFD210PBF
IRFD210PBF
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BUK7575-55A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AOK042A60FD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,600V,67A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STP6N80K5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,800V,5A,RDS(on)=1300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPB100N08S2-07-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,80V,120A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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ZXMS6004SGTA-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,60V,4.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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ZXMS6004SGTA;ZXMS6004SGTA
ZXMS6004SGTA;ZXMS6004SGTA
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PMN40XPEAX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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UPA2719GR-E2-AT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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BUK7E1R6-30E,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,30V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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75N75L-TA3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRF730SPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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