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产品列表

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DMN1008UFDFQ-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,20V,15A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SM1600DSCS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
N+N-Ch,20V,2.6A,RDS(on)=86(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
P10NK60ZFP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STL210N4F7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
ISC080N10NM6ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,75A,RDS(on)=7.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
NTLJD3183CZTAG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
N+P-Ch,±20V,±5A,RDS(on)=20/32(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.8/-0.8V
IPAN80R360P7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,800V,15A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPD50P04P4L11-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-40V,-50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
IPD50P04P4L11;IPD50P04P4L11
IPD50P04P4L11;IPD50P04P4L11
BUK7C10-75AITE,118-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263-7L
N-Ch,80V,250A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
FDD5670-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDD5670
FDD5670
SPD18P06P G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
IRFPC60LCPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
10N90-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,900V,7A,RDS(on)=950(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRFS4710TRRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
PJQ5462A_R2_00001-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V