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产品列表

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DMTH4M75SPSWQ-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
P0403BK-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SiA907EDJT-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
P+P-Ch,-30V,-5.4A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
AOD2210-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,200V,30A,RDS(on)=55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
AOD2210;AOD2210
AOD2210;AOD2210
UT108N03L-TN3-R-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
AP73T03GMT-HF-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
MVSF2N02ELT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
PMDPB70XP,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
P+P-Ch,-30V,-5.4A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115
TK12A50W,S5X-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,500V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
PMT21EN,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
N-Ch,30V,7A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SI2314DS-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SI2314DS(VISHAY/威世)
SI2314DS(VISHAY/威世)
IRL3303PBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
MTA140N03KS3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,30V,1.1A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.8V
25N10GH-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,40A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
ZVP2110GTA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
P-Ch,-100V,-3A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V