产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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XP151A13COMR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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TPCA8052-H(T2L1,VM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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BUK7214-75B,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STP7N95K3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,900V,7A,RDS(on)=950(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFU13N20DPBF-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,200V,25A,RDS(on)=56(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRFU13N20DPBF;IRFU13N20DPBF
IRFU13N20DPBF;IRFU13N20DPBF
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2SK4065-DL-1EX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,80V,120A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPW65R018CM8XKSA1-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,96A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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ZXMN6A09DN8TA-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTD4965NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STD40NF10T4-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,45A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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BSC072N04LD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,40V,60A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.1V
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Si7223DN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)-B
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P+P-Ch,-30V,-6.4A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TK13A55DA(STA4,QM)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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084N06L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK1658-T1-A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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