产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IRL3103D2PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTD5867NL-1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,60V,35A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SIHH240N65E-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8X8
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SIRA01DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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12P10L-TM3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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P-Ch,-100V,-12A,RDS(on)=215(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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IXTQ36N30P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,47A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SCH1430-TL-W-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-6
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N-Ch,30V,3A,RDS(on)=23(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK2992-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT89
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N-Ch,200V,1A,RDS(on)=1600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IAUZN04S7L025ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,40V,60A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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KIA6N65H-VB
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK3385-Z-E1-AZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FQPF10N65C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FQPF10N65C
FQPF10N65C
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PMT560ENEAX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,100V,5A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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PMT560ENEAX;PMT560ENEAX
PMT560ENEAX;PMT560ENEAX
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2SK4096LS-S-MG5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,7A,RDS(on)=550(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NX7002AKS,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-6
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N+N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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