产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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APM2315AC-TRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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STF28N60M2-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=150(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STF28N60M2;STF28N60M2
STF28N60M2;STF28N60M2
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IPP100N06S3L-04IN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SUM110N08-07P-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,80V,120A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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LTC3803ES6-3#TRPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT-23-6
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AP94T07GP-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STP28N60DM2-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=175(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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ISC019N03L5SATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STP33N10-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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AOD7N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI4450DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,60V,7.6A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI4450DY-T1-E3
SI4450DY-T1-E3
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EMB09P03A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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H7N1002LS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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AP15TP1R0YT-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-200V,-3.6A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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BUK969R0-60E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BUK969R0-60E
BUK969R0-60E
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