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产品列表

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STD110N8F6-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,80V,120A,RDS(on)=4.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STD110N8F6;STD110N8F6
STD110N8F6;STD110N8F6
NTD2955G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
NTD2955G;NTD2955G
NTD2955G;NTD2955G
1NF20-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
N-Ch,200V,1A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
ISC009N06NM6ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,200A,RDS(on)=1.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NX138BKWX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NX138BKWX
NX138BKWX
DMTH43M8LFG-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SIZ250DT-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)-C
N+N-Ch,60V,35A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FW360-TL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±100V,2.2/-1.9A,RDS(on)=240/490(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=±2V
FQA13N50CF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,600V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRFU220BTU-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
N-Ch,200V,8A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SM2300NSA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
SM2300NSA(SINOPOWER/大中)
SM2300NSA(SINOPOWER/大中)
FDG6318P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
P+P-Ch,-20V,-1.8A,RDS(on)=155(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
2SK3564(STA4,Q,M)-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,950V,3A,RDS(on)=5400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
BLM4435-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-9A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
RJK0379DPA-WS#J53-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V