产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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ZXMN6A07FTC-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IXTP7N60PM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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CSD17552Q3A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CSD17552Q3A
CSD17552Q3A
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ISC011N03L5S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AUIRF3808S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,80V,120A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NTMFS6H800NT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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PHB32N06LT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSO080P03S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-13.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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AUIRL1404ZSTRR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SQD35N05-26L-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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PSMNR51-25YLHX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPP320N20N3 G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,200V,80A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4.21
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FQD19N10TM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FQD19N10TM
FQD19N10TM
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2SK2111-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT89
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N-Ch,60V,5.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HY4306B6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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HY4306B6
HY4306B6
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