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产品列表

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PMN40LN,135-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STW30N65M5-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,25A,RDS(on)=115(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
STW30N65M5;STW30N65M5
STW30N65M5;STW30N65M5
BUK6D22-30EX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,30V,12A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BUK6D22-30EX;BUK6D22-30EX
BUK6D22-30EX;BUK6D22-30EX
JCS740C-O-C-N-B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,11A,RDS(on)=420(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FW238-NMM-TL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,6.8A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPD30N06S223ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
KD2305-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
IAUZN10S7L289ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,100V,35.5A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
NVMYS3D3N06CLTWG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,60V,100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.4V
IXTP80N10T-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IXTP80N10T;IXTP80N10T
IXTP80N10T;IXTP80N10T
WSD3028DN-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,18A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
HY19P03B-VB
低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
HY19P03B;HY19P03B
HY19P03B;HY19P03B
AUIRLU024Z-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
N-Ch,60V,35A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SQ2303CES-T1_BE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
SI7846DP-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,150V,45A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V