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产品列表

共计 22704 条库存
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NTMFS4D0N04XMT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.09(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
SI7852DP-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,65A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FQD2N90TM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,900V,2A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FQD2N90TM;FQD2N90TM
FQD2N90TM;FQD2N90TM
NVMFS5C673NLWFAFT3G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
STD40NF3LLT4-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PHP225NQ04T,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,40V,160A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PMPB20XPEZ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
SIS454DN-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,20V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.6V
RFD16N06LESM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
R5005CNJ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
R5005CNJ
R5005CNJ
HY3306P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NVMFS3D0P04M8L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-40V,-150A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
STD3NK100Z-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,900V,2A,RDS(on)=2700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STD3NK100Z
STD3NK100Z
SI7972DP-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
DMTH10H010SPSQ-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,65A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V