产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SI2323DS-T1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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W10N65-VB TO262
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI4953ADY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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BUZ111S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TPC6006-H(TE85L,F)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,40V,6A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.65V
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TK6A60D(STA4,Q,M)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IXTY2N80P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,800V,2A,RDS(on)=2600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SQD10N30-330H-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO252
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CEM3178-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,8.5A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AM60P04-10D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-40V,-50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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TK33S10N1L,LXHQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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SUP75P03-07-E3-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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TK6A65W,S5X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BSO110N03MS G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI2318HDS-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,40V,4.8A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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