产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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BSC035N04LSGATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TK5Q65W,S1Q-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=950(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NVMFS4C305NT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NCEP035N10D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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15MQ040N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DO214AC
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15MQ040N
15MQ040N
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20NK50Z-VB TO263
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SIJ438DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STS11NF30L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AOT270AL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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TK4A60DB(STA4,Q,M)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BSS127-VB
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小信号MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,650V,1A,RDS(on)=8400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BSS127;BSS127
BSS127;BSS127
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STS9NF3LL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SJ546-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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P-Ch,-60V,-20A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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ST2319SRG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TK46A08N1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,90A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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