产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFHS8342TR2PBF-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN6(2X2)
|
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=23(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
NVD5865NLT4G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
TSM170N06CP-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
SI4501DY-T1-E3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N+P-Ch,±30V,10/-8A,RDS(on)=11/21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
|
|
|
|
FDS8670-NL-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
RBE056N08R1SZN6#HB0-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,80V,60A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
CSD17301Q5A-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
CSD17301Q5A;CSD17301Q5A
CSD17301Q5A;CSD17301Q5A
|
|
|
FQD2N60C-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
FQD2N60C;FQD2N60C
FQD2N60C;FQD2N60C
|
|
|
IRFSL11N50APBF-VB
|
N沟道MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO262
|
N-Ch,650V,13A,RDS(on)=330(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SI2392ADS-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,100V,4.3A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
STK5006P-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
RX2R03BBHC7G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,150V,50A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
STGW20V60DF-VB
|
IGBT管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
IGBT+FRD,600/650V,20A,VCEsat=1.65V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
|
|
|
|
STD60N55F3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
IXFH52N30P-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|