产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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STP150N10F7AG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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R6035ENZ1C9-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,36A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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WSP4620-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,10/-8A,RDS(on)=11/21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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WSP4620
WSP4620
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STP21N90K5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,900V,20A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STP21N90K5;STP21N90K5
STP21N90K5;STP21N90K5
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NVMFS5C604NLWFET1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,200A,RDS(on)=1.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK3749(91)-T1-A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FR9024-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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EMB03P03H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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CSD17308Q3T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,30A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTMJS1D15N03CGTWG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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ACE1551AJM+H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT723-3
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N-Ch,20V,0.65A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.45V
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ACE1551AJM+H
ACE1551AJM+H
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DMP3036SSS-13-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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||
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SSM6P69NU,LF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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P+P-Ch,-20V,-5.3A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.8V
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STD9NM40N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFU2407PBF-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,80V,75A,RDS(on)=6.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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