产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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STL36N60DM6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8X8
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI7413DN-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
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PMN20EN,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HP8K22TB-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-C
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N+N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HP8K22TB;HP8K22TB
HP8K22TB;HP8K22TB
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SQA446CEJW-T1_GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,20V,12A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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STP14NF10FP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=86(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FQD4N25TM-VB
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小信号MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,250V,0.5A,RDS(on)=1700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4.78V
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SQJ184EP-T1_GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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SI7866DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NCE07TD60BD-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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IGBT+FRD,600/650V,7A,VCEsat=1.65V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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SI7904DN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)-B
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N+N-Ch,20V,9.4A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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SQJA90EP-T1_GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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2SK957-MR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,950V,3A,RDS(on)=5400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PH4025L,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,30V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
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TPC8223-H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,13.5A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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