产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SSM3J307T(TE85L,F)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-5A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
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IRFZ44S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK7614-55,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP2328GN-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IPW60R099CM8XKSA1-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,600V,31A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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TK3P50D,RQ(S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,550V,2A,RDS(on)=3000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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DMN1004UFDF-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,20V,15A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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SIHL640STRL-GE3-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,200V,18A,RDS(on)=180(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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40N03-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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40N03
40N03
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IRL520NS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,20A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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UPA1763G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SPW47N65C3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SPW47N65C3
SPW47N65C3
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2SK1304-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FS18SM-10-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,600V,15A,RDS(on)=280(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI2311DS-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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